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MMBD4448HAQW-7-F

MMBD4448HAQW-7-F

Solo per riferimento

Numero parte MMBD4448HAQW-7-F
PNEDA Part # MMBD4448HAQW-7-F
Descrizione DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.960
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MMBD4448HAQW-7-F Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMMBD4448HAQW-7-F
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MMBD4448HAQW-7-F, MMBD4448HAQW-7-F Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 110,22 KB)
PDFMMBD4448HTW-7 Datasheet Copertura
MMBD4448HTW-7 Datasheet Pagina 2 MMBD4448HTW-7 Datasheet Pagina 3 MMBD4448HTW-7 Datasheet Pagina 4

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MMBD4448HAQW-7-F Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione diodi2 Pair Common Anode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)250mA
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.25V @ 150mA
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr100nA @ 70V
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363

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Tipo di diodo

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

27ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4µA @ 200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

40A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

590mV @ 40A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

800µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

760mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 45V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

870mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1.5mA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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