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MM74C89N

MM74C89N

Solo per riferimento

Numero parte MM74C89N
PNEDA Part # MM74C89N
Descrizione IC RAM 64 PARALLEL 16DIP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.330
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MM74C89N Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMM74C89N
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MM74C89N, MM74C89N Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 69,02 KB)
PDFMM74C89N Datasheet Copertura
MM74C89N Datasheet Pagina 2 MM74C89N Datasheet Pagina 3 MM74C89N Datasheet Pagina 4 MM74C89N Datasheet Pagina 5 MM74C89N Datasheet Pagina 6

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MM74C89N Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaRAM
TecnologiaRAM
Dimensione della memoria64b (16 x 4)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso280ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 15V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia16-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore16-PDIP

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Sharp Microelectronics

Produttore

Sharp Microelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

32Mb (2M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

CY7C1415KV18-300BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

300MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (13x15)

CY7C1474V33-200BGC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

72Mb (1M x 72)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

209-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

209-FBGA (14x22)

MTFC128GAJAEDN-AIT TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

169-LFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

169-LFBGA (14x18)

IS42S83200J-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

54-TSOP II

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