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MJE803G

MJE803G

Solo per riferimento

Numero parte MJE803G
PNEDA Part # MJE803G
Descrizione TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 12.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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MJE803G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJE803G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJE803G, MJE803G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 134,41 KB)
PDFMJE703 Datasheet Copertura
MJE703 Datasheet Pagina 2 MJE703 Datasheet Pagina 3 MJE703 Datasheet Pagina 4 MJE703 Datasheet Pagina 5 MJE703 Datasheet Pagina 6

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MJE803G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)80V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic2.8V @ 40mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce750 @ 2A, 3V
Potenza - Max40W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-225AA

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 150mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

2-TP-FA

BUV298AV

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

450V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 6.4A, 32A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

12 @ 32A, 5V

Potenza - Max

250W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP

BC817-16W,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

TTC009,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

FMMTA56TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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