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MJD50T4G

MJD50T4G

Solo per riferimento

Numero parte MJD50T4G
PNEDA Part # MJD50T4G
Descrizione TRANS NPN 400V 1A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.500
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MJD50T4G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD50T4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD50T4G, MJD50T4G Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 75,58 KB)
PDFMJD50 Datasheet Copertura
MJD50 Datasheet Pagina 2 MJD50 Datasheet Pagina 3 MJD50 Datasheet Pagina 4 MJD50 Datasheet Pagina 5 MJD50 Datasheet Pagina 6

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MJD50T4G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)400V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (Max)200µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Potenza - Max1.56W
Frequenza - Transizione10MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

12A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Potenza - Max

125W

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-218-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-218

2SCR543DTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Potenza - Max

10W

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

CPT3

JANTX2N2946A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/382

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

35V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 500mV

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-46-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-46 (TO-206AB)

BD157STU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Potenza - Max

20W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-225AA, TO-126-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-126-3

BC557BZL1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

320MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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