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MJD3055G

MJD3055G

Solo per riferimento

Numero parte MJD3055G
PNEDA Part # MJD3055G
Descrizione TRANS NPN 60V 10A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD3055G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD3055G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD3055G, MJD3055G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 132,58 KB)
PDFMJD3055G Datasheet Copertura
MJD3055G Datasheet Pagina 2 MJD3055G Datasheet Pagina 3 MJD3055G Datasheet Pagina 4 MJD3055G Datasheet Pagina 5 MJD3055G Datasheet Pagina 6 MJD3055G Datasheet Pagina 7

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MJD3055G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)10A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic8V @ 3.3A, 10A
Corrente - Taglio collettore (Max)50µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 4A, 4V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione2MHz
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

112 @ 50mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SJ358C(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CMUT5401E BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

220V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

250mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-523

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-523

TIP29CTSTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

DN0150ALP4-7B

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Potenza - Max

450mW

Frequenza - Transizione

60MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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