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MJD122T4G

MJD122T4G

Solo per riferimento

Numero parte MJD122T4G
PNEDA Part # MJD122T4G
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.382
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MJD122T4G Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMJD122T4G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
MJD122T4G, MJD122T4G Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 100,84 KB)
PDFMJD122T4 Datasheet Copertura
MJD122T4 Datasheet Pagina 2 MJD122T4 Datasheet Pagina 3 MJD122T4 Datasheet Pagina 4 MJD122T4 Datasheet Pagina 5 MJD122T4 Datasheet Pagina 6 MJD122T4 Datasheet Pagina 7 MJD122T4 Datasheet Pagina 8

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MJD122T4G Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)8A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic4V @ 80mA, 8A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 4A, 4V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione4MHz
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 2A, 2V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.6W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 15mA, 300mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

320MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

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Produttore

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Serie

-

Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 40mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

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Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

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