MJD112T4G
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| Numero parte | MJD112T4G |
| PNEDA Part # | MJD112T4G |
| Descrizione | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 40.188 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 10 - mag 15 (Scegli Spedizione rapida) |
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MJD112T4G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MJD112T4G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - Singolo |
| Datasheet |
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MJD112T4G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN - Darlington |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 2A |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 100V |
| Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 20µA |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Potenza - Max | 20W |
| Frequenza - Transizione | 25MHz |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di transistor PNP Corrente - Collettore (Ic) (Max) 500mA Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 45V Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA Corrente - Taglio collettore (Max) 50nA Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V Potenza - Max 625mW Frequenza - Transizione 250MHz Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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