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MIXA30WB1200TED

MIXA30WB1200TED

Solo per riferimento

Numero parte MIXA30WB1200TED
PNEDA Part # MIXA30WB1200TED
Descrizione IGBT MODULE 1200V 30A
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.752
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 7 - giu 12 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MIXA30WB1200TED Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMIXA30WB1200TED
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MIXA30WB1200TED, MIXA30WB1200TED Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 226,68 KB)
PDFMIXA30WB1200TED Datasheet Copertura
MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 2 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 3 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 4 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 5 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 6 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 7 MIXA30WB1200TED Datasheet Pagina 8

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MIXA30WB1200TED Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
ConfigurazioneThree Phase Inverter with Brake
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)43A
Potenza - Max150W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
Corrente - Taglio collettore (Max)1.5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputThree Phase Bridge Rectifier
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaE2
Pacchetto dispositivo fornitoreE2

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPIM™3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.8nF @ 25V

Input

Three Phase Bridge Rectifier

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CM1000DXL-24S

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1000A

Potenza - Max

7500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 1000A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

100nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGF180DH60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Asymmetrical Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

220A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 180A

Corrente - Taglio collettore (Max)

300µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP6

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

PSDC317E5630533NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGF90A60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

110A

Potenza - Max

416W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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