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MG800J2YS50A

MG800J2YS50A

Solo per riferimento

Numero parte MG800J2YS50A
PNEDA Part # MG800J2YS50A
Descrizione IGBT MOD CMPCT 600V 800A
Produttore Powerex Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MG800J2YS50A Risorse

Brand Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMG800J2YS50A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
MG800J2YS50A, MG800J2YS50A Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 371,88 KB)
PDFMG800J2YS50A Datasheet Copertura
MG800J2YS50A Datasheet Pagina 2 MG800J2YS50A Datasheet Pagina 3 MG800J2YS50A Datasheet Pagina 4 MG800J2YS50A Datasheet Pagina 5 MG800J2YS50A Datasheet Pagina 6

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MG800J2YS50A Specifiche

ProduttorePowerex Inc.
SerieIGBTMOD™
Tipo IGBT-
ConfigurazioneHalf Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)800A
Potenza - Max2900W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 800A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce93nF @ 10V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-20°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

FS10R06VE3B2BOMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Potenza - Max

50W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

550pF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

VS-GB75TP120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

INT-A-PAK (3 + 4)

Pacchetto dispositivo fornitore

INT-A-PAK

APTGT50DA170T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

312W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

APTGF75H120TG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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