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MCH6336-TL-H

MCH6336-TL-H

Solo per riferimento

Numero parte MCH6336-TL-H
PNEDA Part # MCH6336-TL-H
Descrizione MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.410
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCH6336-TL-H Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCH6336-TL-H
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
MCH6336-TL-H, MCH6336-TL-H Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 553,08 KB)
PDFMCH6336-TL-E Datasheet Copertura
MCH6336-TL-E Datasheet Pagina 2 MCH6336-TL-E Datasheet Pagina 3 MCH6336-TL-E Datasheet Pagina 4 MCH6336-TL-E Datasheet Pagina 5

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MCH6336-TL-H Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.9nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds660pF @ 6V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-MCPH
Pacchetto / Custodia6-SMD, Flat Leads

I prodotti a cui potresti essere interessato

PHB191NQ06LT,118

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.6nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7665pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NVMFS5C460NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 71A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.6W (Ta), 50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

IPB027N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 275µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

206nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

3000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3680pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

960W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247PLUS-HV

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

ECH8410-TL-H

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-ECH

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Venduto di recente

IRF7470PBF

IRF7470PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC

PIC18F46K20-I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

PIC16F1509-I/SS

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 14KB FLASH 20SSOP

MX25L25645GMI-10G

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SENSOR DIGITAL -55C-125C 8SOIC

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FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD

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CNY17F-2

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Everlight Electronics Co Ltd

OPTOISOLTR 5KV TRANSISTOR 6-DIP

2SA1943-O(Q)

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Toshiba Semiconductor and Storage

TRANS PNP 230V 15A TO-3PL

PBSS4250X,115

PBSS4250X,115

Nexperia

TRANS NPN 50V 2A SOT89

ADA4805-2ARMZ-R7

ADA4805-2ARMZ-R7

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