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MCCD2004-TP

MCCD2004-TP

Solo per riferimento

Numero parte MCCD2004-TP
PNEDA Part # MCCD2004-TP
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 10A
Produttore Micro Commercial Co
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.508
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MCCD2004-TP Risorse

Brand Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMCCD2004-TP
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
MCCD2004-TP, MCCD2004-TP Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 638,21 KB)
PDFMCCD2004-TP Datasheet Copertura
MCCD2004-TP Datasheet Pagina 2 MCCD2004-TP Datasheet Pagina 3 MCCD2004-TP Datasheet Pagina 4

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MCCD2004-TP Specifiche

ProduttoreMicro Commercial Co
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1955pF @ 10V
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-WFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitoreDFN2030-6

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

870nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-363

FDMQ8203

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

GreenBridge™ PowerTrench®

Tipo FET

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V, 80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 50V

Potenza - Max

2.5W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

12-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

12-MLP (5x4.5)

TT8J2TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 10V

Potenza - Max

1.25W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TSST

ZXMD65N02N8TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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CTLDM7120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 10V

Potenza - Max

1.65W

Temperatura di esercizio

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