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MC1413BDR2

MC1413BDR2

Solo per riferimento

Numero parte MC1413BDR2
PNEDA Part # MC1413BDR2
Descrizione TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.690
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MC1413BDR2 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMC1413BDR2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
MC1413BDR2, MC1413BDR2 Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 185,91 KB)
PDFMC1413DG Datasheet Copertura
MC1413DG Datasheet Pagina 2 MC1413DG Datasheet Pagina 3 MC1413DG Datasheet Pagina 4 MC1413DG Datasheet Pagina 5 MC1413DG Datasheet Pagina 6 MC1413DG Datasheet Pagina 7 MC1413DG Datasheet Pagina 8

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MC1413BDR2 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor7 NPN Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)50V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.6V @ 500µA, 350mA
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 350mA, 2V
Potenza - Max-
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A, 1.25A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V, 12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

1.1W

Frequenza - Transizione

180MHz, 220MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-26

JAN2N6987

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/558

Tipo di transistor

4 PNP (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IMZ1AT108

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

180MHz, 140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-74, SOT-457

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT6

2N6987

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

4 PNP (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-116

2N3810U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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