MBR8H100MFST3G
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| Numero parte | MBR8H100MFST3G |
| PNEDA Part # | MBR8H100MFST3G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 37.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR8H100MFST3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR8H100MFST3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
MBR8H100MFST3G, MBR8H100MFST3G Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 61,69 KB)
  
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MBR8H100MFST3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 250mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 100mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 100V Capacità @ Vr, F 1.5pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-80 Variant Pacchetto dispositivo fornitore SOD-80 QuadroMELF Temperatura di esercizio - Giunzione 150°C (Max) |
