MBR40030CTRL
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| Numero parte | MBR40030CTRL |
| PNEDA Part # | MBR40030CTRL |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 200A 2 TOWER |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.418 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR40030CTRL Risorse
| Brand | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR40030CTRL |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
| Datasheet |
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MBR40030CTRL Specifiche
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 200A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 30V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | Twin Tower |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
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Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 200A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 100V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia TO-244AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-244 |
