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MBR2X080A080

MBR2X080A080

Solo per riferimento

Numero parte MBR2X080A080
PNEDA Part # MBR2X080A080
Descrizione DIODE SCHOTTKY 80V 80A SOT227
Produttore GeneSiC Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR2X080A080 Risorse

Brand GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR2X080A080
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array
Datasheet
MBR2X080A080, MBR2X080A080 Datasheet (Totale pagine: 3, Dimensioni: 646,89 KB)
PDFMBR2X080A080 Datasheet Copertura
MBR2X080A080 Datasheet Pagina 2 MBR2X080A080 Datasheet Pagina 3

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MBR2X080A080 Specifiche

ProduttoreGeneSiC Semiconductor
Serie-
Configurazione diodi2 Independent
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)80V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)80A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If840mV @ 80A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr1mA @ 80V
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227

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Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.02V @ 25A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100µA @ 150V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AB

APTDF400AA120G

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

470A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

3V @ 400A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

385ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 1200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

LP4

Pacchetto dispositivo fornitore

SP6

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

2200V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

950A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

18µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 2200V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

MBRF50035R

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

35V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

250A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

750mV @ 250A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 35V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

TO-244AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-244AB

SS8P2CLHM3/87A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

20V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

540mV @ 4A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 20V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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