MBR1H100SFT3G
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| Numero parte | MBR1H100SFT3G |
| PNEDA Part # | MBR1H100SFT3G |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123FL |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.993.922 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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MBR1H100SFT3G Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | MBR1H100SFT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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MBR1H100SFT3G Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 760mV @ 1A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 40µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOD-123F |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123FL |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 480ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 470mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 14ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 40V Capacità @ Vr, F 81pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 0603 (1608 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore X3-WLB1608-2 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 30V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
