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MBR120ESFT1

MBR120ESFT1

Solo per riferimento

Numero parte MBR120ESFT1
PNEDA Part # MBR120ESFT1
Descrizione DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.100
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MBR120ESFT1 Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMBR120ESFT1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
MBR120ESFT1, MBR120ESFT1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 61,94 KB)
PDFMBR120ESFT3 Datasheet Copertura
MBR120ESFT3 Datasheet Pagina 2 MBR120ESFT3 Datasheet Pagina 3 MBR120ESFT3 Datasheet Pagina 4 MBR120ESFT3 Datasheet Pagina 5 MBR120ESFT3 Datasheet Pagina 6

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MBR120ESFT1 Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di diodoSchottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)20V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If530mV @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)-
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 20V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSOD-123F
Pacchetto dispositivo fornitoreSOD-123L
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

500A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.25V @ 1500A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50mA @ 800V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

DO-200AB, B-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AB, B-PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

ST10100STR

SMC Diode Solutions

Produttore

SMC Diode Solutions

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

680mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

250µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277B

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

SDT06S60

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

6A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 6A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-2-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

S25BR

GeneSiC Semiconductor

Produttore

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard, Reverse Polarity

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

25A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 25A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-203AA, DO-4, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

RB501V-40-TP

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

100mA

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

30µA @ 10V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOD-323

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

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