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MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

Solo per riferimento

Numero parte MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1
PNEDA Part # MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1
Descrizione IC FRAM 256K SPI 33MHZ 8SOP
Produttore Fujitsu Electronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 3 - nov 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Risorse

Brand Fujitsu Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMB85RS256TYPNF-GS-BCERE1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1, MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet (Totale pagine: 26, Dimensioni: 861,98 KB)
PDFMB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Copertura
MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 2 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 3 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 4 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 5 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 6 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 7 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 8 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 9 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 10 MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Datasheet Pagina 11

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MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 Specifiche

ProduttoreFujitsu Electronics America, Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q100
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFRAM
TecnologiaFRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock33MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP

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Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

4.5Mb (256K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

4.2ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

35ns

Tempo di accesso

35ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

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