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MAX2602ESA+

MAX2602ESA+

Solo per riferimento

Numero parte MAX2602ESA+
PNEDA Part # MAX2602ESA
Descrizione RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
Produttore Maxim Integrated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.708
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

MAX2602ESA+ Risorse

Brand Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteMAX2602ESA+
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
MAX2602ESA+, MAX2602ESA+ Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 88,04 KB)
PDFMAX2602ESA-T Datasheet Copertura
MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 2 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 3 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 4 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 5 MAX2602ESA-T Datasheet Pagina 6

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MAX2602ESA+ Specifiche

ProduttoreMaxim Integrated
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)15V
Frequenza - Transizione1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.3dB @ 836MHz
Guadagno11.6dB
Potenza - Max6.4W
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 250mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.2A
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC-EP

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Frequenza - Transizione

650MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

350mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

BFP450H6433XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

24GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

15.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

2SC5085-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

11dB ~ 16.5dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

USM

BFG 19S E6327

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

14dB ~ 8.5dB

Potenza - Max

1W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

210mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT223-4

80262

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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