M93S56-WMN6
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| Numero parte | M93S56-WMN6 |
| PNEDA Part # | M93S56-WMN6 |
| Descrizione | IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.986 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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M93S56-WMN6 Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M93S56-WMN6 |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
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M93S56-WMN6 Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 2Kb (128 x 16) |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Frequenza di clock | 2MHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 5ms |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore Maxim Integrated Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 1Kb (256 x 4) Interfaccia di memoria 1-Wire® Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 2µs Tensione - Alimentazione 3V ~ 5.25V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 100MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 119-BGA Pacchetto dispositivo fornitore 119-PBGA (14x22) |
