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M93C46-MN6T

M93C46-MN6T

Solo per riferimento

Numero parte M93C46-MN6T
PNEDA Part # M93C46-MN6T
Descrizione IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 21.934
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 15 - mag 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M93C46-MN6T Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM93C46-MN6T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M93C46-MN6T, M93C46-MN6T Datasheet (Totale pagine: 35, Dimensioni: 1.255,77 KB)
PDFM93C66-RMB6TG Datasheet Copertura
M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 2 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 3 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 4 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 5 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 6 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 7 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 8 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 9 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 10 M93C66-RMB6TG Datasheet Pagina 11

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M93C46-MN6T Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria1Kb (128 x 8, 64 x 16)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock2MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

2Mb (64K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

3.5ns

Tensione - Alimentazione

3.15V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CAT28C256H13-15T

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

AT28C256F-15SU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

MTFC2GMXEA-WT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

e•MMC™

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

MMC

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

153-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR

Dimensione della memoria

128Mb (8M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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