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M68AW256ML70ND6T

M68AW256ML70ND6T

Solo per riferimento

Numero parte M68AW256ML70ND6T
PNEDA Part # M68AW256ML70ND6T
Descrizione IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.236
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M68AW256ML70ND6T Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM68AW256ML70ND6T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M68AW256ML70ND6T, M68AW256ML70ND6T Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 343,26 KB)
PDFM68AW256ML70ND6T Datasheet Copertura
M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 2 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 3 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 4 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 5 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 6 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 7 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 8 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 9 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 10 M68AW256ML70ND6T Datasheet Pagina 11

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M68AW256ML70ND6T Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina70ns
Tempo di accesso70ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-TSOP II

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1.125Mb (64K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

256Kb (16K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

70V25L15J

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

128Kb (8K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Fremont Micro Devices Ltd

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Formato memoria

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Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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