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M55342E06B3E16RWS

M55342E06B3E16RWS

Solo per riferimento

Numero parte M55342E06B3E16RWS
PNEDA Part # M55342E06B3E16RWS
Descrizione RES SMD 3.16K OHM 1% 0.15W 0705
Produttore Vishay Dale
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.742
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M55342E06B3E16RWS Risorse

Brand Vishay Dale
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM55342E06B3E16RWS
CategoriaComponenti passiviResistoriResistore in chip - Montaggio superficiale
Datasheet
M55342E06B3E16RWS, M55342E06B3E16RWS Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 95,22 KB)
PDFM55342K11B100DSTP Datasheet Copertura
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M55342E06B3E16RWS Specifiche

ProduttoreVishay Dale
SerieMilitary, MIL-PRF-55342, RM0705
Resistenza3.16 kOhms
Tolleranza±1%
Potenza (Watt)0.15W
ComposizioneThin Film
CaratteristicheMilitary, Non-Inductive
Coefficiente di temperatura±25ppm/°C
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C
Pacchetto / Custodia0805 (2012 Metric)
Pacchetto dispositivo fornitore0705
Taglia / Dimensione0.080" L x 0.050" W (2.03mm x 1.27mm)
Altezza - Seduto (Max)0.033" (0.84mm)
Numero di cessazioni2
Tasso di fallimentoR (0.01%)

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

237 kOhms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.063W, 1/16W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.014" (0.35mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

RUT3225JR110CS

Samsung Electro-Mechanics

Produttore

Samsung Electro-Mechanics

Serie

RUT

Resistenza

110 mOhms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

0.5W, 1/2W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Current Sense, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±150ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1210 (3225 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1210

Taglia / Dimensione

0.126" L x 0.100" W (3.20mm x 2.55mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.66mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

TNPW0402100RBYEP

Vishay Dale

Produttore

Vishay Dale

Serie

TNPW e3

Resistenza

100 Ohms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.1W, 1/10W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

Coefficiente di temperatura

±10ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

0402 (1005 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

0402

Taglia / Dimensione

0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.016" (0.40mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Produttore

Yageo

Serie

RT

Resistenza

12.4 Ohms

Tolleranza

±0.1%

Potenza (Watt)

0.25W, 1/4W

Composizione

Thin Film

Caratteristiche

-

Coefficiente di temperatura

±25ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

1206 (3216 Metric)

Pacchetto dispositivo fornitore

1206

Taglia / Dimensione

0.122" L x 0.063" W (3.10mm x 1.60mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

LTR10EVHJLR51

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

LTR

Resistenza

510 mOhms

Tolleranza

±5%

Potenza (Watt)

0.5W, 1/2W

Composizione

Thick Film

Caratteristiche

Automotive AEC-Q200, Current Sense

Coefficiente di temperatura

±150ppm/°C

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 155°C

Pacchetto / Custodia

Wide 0805 (2012 Metric), 0508

Pacchetto dispositivo fornitore

0805

Taglia / Dimensione

0.047" L x 0.079" W (1.20mm x 2.00mm)

Altezza - Seduto (Max)

0.026" (0.65mm)

Numero di cessazioni

2

Tasso di fallimento

-

Venduto di recente

NL17SZ14DFT2G

NL17SZ14DFT2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 1CH SC88A

AS4C256M16D3B-12BIN

AS4C256M16D3B-12BIN

Alliance Memory, Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

CAT28C64BLI90

CAT28C64BLI90

ON Semiconductor

IC EEPROM 64K PARALLEL 28DIP

SQ3427EEV-T1-GE3

SQ3427EEV-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

FDS6680A

FDS6680A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

BLM31PG500SN1L

BLM31PG500SN1L

Murata

FERRITE BEAD 50 OHM 1206 1LN

BAS516,115

BAS516,115

Nexperia

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD523

SI1865DDL-T1-GE3

SI1865DDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

IC LOAD SW LVL SHIFT SC70-6

564R60GAT22

564R60GAT22

Vishay Cera-Mite

CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL

PI5USB2544ZHEX

PI5USB2544ZHEX

Diodes Incorporated

IC USB CNTRL DETECT SWTCH 16TQFN

REF195GSZ

REF195GSZ

Analog Devices

IC VREF SERIES 5V 8SOIC

TLJT107M010R0900

TLJT107M010R0900

CAP TANT 100UF 20% 10V 1411