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M48Z35AV-10PC1

M48Z35AV-10PC1

Solo per riferimento

Numero parte M48Z35AV-10PC1
PNEDA Part # M48Z35AV-10PC1
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28PCDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M48Z35AV-10PC1 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM48Z35AV-10PC1
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M48Z35AV-10PC1, M48Z35AV-10PC1 Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 300,3 KB)
PDFM48Z35AV-10MH6F Datasheet Copertura
M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 2 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 3 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 4 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 5 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 6 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 7 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 8 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 9 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 10 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 11

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M48Z35AV-10PC1 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Pacchetto dispositivo fornitore28-PCDIP, CAPHAT®

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Micron Technology Inc.

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

33MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-TSOP

DS1350BL-70

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

34-LPM

Pacchetto dispositivo fornitore

34-LPM

CAT24C128WIGT3JN

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

128Kb (16K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AT27C1024-12PC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

40-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-PDIP

MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

6Tb (768G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

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