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M48Z35AV-10MH1E

M48Z35AV-10MH1E

Solo per riferimento

Numero parte M48Z35AV-10MH1E
PNEDA Part # M48Z35AV-10MH1E
Descrizione IC NVSRAM 256K PARALLEL 28SOH
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.610
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M48Z35AV-10MH1E Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM48Z35AV-10MH1E
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M48Z35AV-10MH1E, M48Z35AV-10MH1E Datasheet (Totale pagine: 21, Dimensioni: 300,3 KB)
PDFM48Z35AV-10MH6F Datasheet Copertura
M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 2 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 3 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 4 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 5 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 6 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 7 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 8 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 9 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 10 M48Z35AV-10MH6F Datasheet Pagina 11

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M48Z35AV-10MH1E Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaNVSRAM
TecnologiaNVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria256Kb (32K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina100ns
Tempo di accesso100ns
Tensione - Alimentazione3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets
Pacchetto dispositivo fornitore28-SOH

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Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

AS4C128M32MD2A-25BIN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria

4Gb (128M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

400MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.14V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

134-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

134-FBGA (10x11.5)

AT49BV802A-70CU

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8, 512K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

200µs

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

2.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA, CSBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-CBGA (6x8)

MT53D4DADT-DC

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

LH28F008SAT-ZW

Sharp Microelectronics

Produttore

Sharp Microelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

85ns

Tempo di accesso

85ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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