M34C02-WMN6T
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| Numero parte | M34C02-WMN6T |
| PNEDA Part # | M34C02-WMN6T |
| Descrizione | IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SO |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.442 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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M34C02-WMN6T Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M34C02-WMN6T |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
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M34C02-WMN6T Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Dimensione della memoria | 2Kb (256 x 8) |
| Interfaccia di memoria | I²C |
| Frequenza di clock | 400kHz |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 10ms |
| Tempo di accesso | 900ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 150MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 3.8ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Asynchronous Dimensione della memoria 1Mb (128K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 15ns Tempo di accesso 15ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 32-SOJ |
Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous Dimensione della memoria 512Kb (64K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 25ns Tempo di accesso 25ns Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 84-LCC (J-Lead) Pacchetto dispositivo fornitore 84-PLCC (29.21x29.21) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous Dimensione della memoria 9Mb (128K x 72) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 167MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 4ns Tensione - Alimentazione 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 256-LBGA Pacchetto dispositivo fornitore 256-FBGA (17x17) |
