M29W640GL70ZA6E
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| Numero parte | M29W640GL70ZA6E |
| PNEDA Part # | M29W640GL70ZA6E |
| Descrizione | IC FLASH 64M PARALLEL 48TFBGA |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.826 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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M29W640GL70ZA6E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M29W640GL70ZA6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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M29W640GL70ZA6E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TFBGA (6x8) |
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Produttore Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 85ns Tempo di accesso 85ns Tensione - Alimentazione 4.75V ~ 5.5V Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) Pacchetto dispositivo fornitore 32-DIP Module (18.42x42.8) |
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