M29W512GH70N3E
Solo per riferimento
| Numero parte | M29W512GH70N3E |
| PNEDA Part # | M29W512GH70N3E |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.208 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
M29W512GH70N3E Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | M29W512GH70N3E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
M29W512GH70N3E, M29W512GH70N3E Datasheet
(Totale pagine: 79, Dimensioni: 1.007,91 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- M29W512GH70N3E Datasheet
- where to find M29W512GH70N3E
- Micron Technology Inc.
- Micron Technology Inc. M29W512GH70N3E
- M29W512GH70N3E PDF Datasheet
- M29W512GH70N3E Stock
- M29W512GH70N3E Pinout
- Datasheet M29W512GH70N3E
- M29W512GH70N3E Supplier
- Micron Technology Inc. Distributor
- M29W512GH70N3E Price
- M29W512GH70N3E Distributor
M29W512GH70N3E Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 56-TSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH, RAM Tecnologia FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Dimensione della memoria 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 200MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 153-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 153-VFBGA |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH Dimensione della memoria 128Mb (16M x 8, 8M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 120ns Tensione - Alimentazione 2.7V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 56-TSOP I |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 576Mb (64M x 9) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 400MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 20ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-TWBGA (11x18.5) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria I²C Frequenza di clock 400kHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 5ms Tempo di accesso 900ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile Dimensione della memoria 256Mb (16M x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 143MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 5.4ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 54-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 54-TFBGA (8x8) |
