M29W400DB70N6T TR
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| Numero parte | M29W400DB70N6T TR |
| PNEDA Part # | M29W400DB70N6T-TR |
| Descrizione | IC FLASH 4M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.790 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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M29W400DB70N6T TR Risorse
| Brand | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | M29W400DB70N6T TR |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
M29W400DB70N6T TR, M29W400DB70N6T TR Datasheet
(Totale pagine: 48, Dimensioni: 922,26 KB)
  
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M29W400DB70N6T TR Specifiche
| Produttore | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NOR |
| Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 64Gb (1G x 64) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.1V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
