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M27C1001-12F6

M27C1001-12F6

Solo per riferimento

Numero parte M27C1001-12F6
PNEDA Part # M27C1001-12F6
Descrizione IC EPROM 1M PARALLEL 32CDIP
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 13.543
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

M27C1001-12F6 Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteM27C1001-12F6
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
M27C1001-12F6, M27C1001-12F6 Datasheet (Totale pagine: 17, Dimensioni: 159,87 KB)
PDFM27C1001-35C6 Datasheet Copertura
M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 2 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 3 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 4 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 5 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 6 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 7 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 8 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 9 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 10 M27C1001-35C6 Datasheet Pagina 11

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M27C1001-12F6 Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEPROM
TecnologiaEPROM - UV
Dimensione della memoria1Mb (128K x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso120ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia32-CDIP (0.600", 15.24mm) Window
Pacchetto dispositivo fornitore32-CDIP Frit Seal with Window

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Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

2133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

8Mb (1M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

40-TSOP I

DS28E07Q+T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (256 x 4)

Interfaccia di memoria

1-Wire®

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

2µs

Tensione - Alimentazione

3V ~ 5.25V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN (3x3)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

FL-S

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

256Mb (32M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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W972GG8JB-25

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Produttore

Winbond Electronics

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

400ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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