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LTC4444EMS8E#TRPBF

LTC4444EMS8E#TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte LTC4444EMS8E#TRPBF
PNEDA Part # LTC4444EMS8E-TRPBF
Descrizione IC DRVR NCH MOSFET 8MSOP
Produttore Linear Technology/Analog Devices
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 46.104
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LTC4444EMS8E#TRPBF Risorse

Brand Linear Technology/Analog Devices
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLTC4444EMS8E#TRPBF
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
LTC4444EMS8E#TRPBF, LTC4444EMS8E#TRPBF Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 677,72 KB)
PDFLTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Copertura
LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 2 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 3 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 4 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 5 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 6 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 7 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 8 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 9 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 10 LTC4444IMS8E#WTRPBF Datasheet Pagina 11

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LTC4444EMS8E#TRPBF Specifiche

ProduttoreLinear Technology/Analog Devices
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaN-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione7.2V ~ 13.5V
Tensione logica - VIL, VIH1.85V, 3.25V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2.5A, 3A
Tipo di ingressoInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Tempo di salita / discesa (tipico)8ns, 5ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore8-MSOP-EP

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Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

7.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

2.4V, 9.6V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

6A, 6A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-TDFN (3x3)

SN75453BPG4

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.75V ~ 5.25V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

500mA, 500mA

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 7ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

MIC4128YMME

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 1.5A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP-EP

HIP6601BCBZA

Renesas Electronics America Inc.

Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10.8V ~ 13.2V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

15V

Tempo di salita / discesa (tipico)

20ns, 20ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Renesas Electronics America Inc.

Serie

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Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

3.7V, 7.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

3A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

114V

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 7.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

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