Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

LH28F008SCHT-TE

LH28F008SCHT-TE

Solo per riferimento

Numero parte LH28F008SCHT-TE
PNEDA Part # LH28F008SCHT-TE
Descrizione IC FLASH 8M PARALLEL 40TSOP
Produttore Sharp Microelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.446
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LH28F008SCHT-TE Risorse

Brand Sharp Microelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLH28F008SCHT-TE
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
LH28F008SCHT-TE, LH28F008SCHT-TE Datasheet (Totale pagine: 58, Dimensioni: 658,56 KB)
PDFLH28F008SCHT-TE Datasheet Copertura
LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 2 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 3 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 4 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 5 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 6 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 7 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 8 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 9 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 10 LH28F008SCHT-TE Datasheet Pagina 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • LH28F008SCHT-TE Datasheet
  • where to find LH28F008SCHT-TE
  • Sharp Microelectronics

  • Sharp Microelectronics LH28F008SCHT-TE
  • LH28F008SCHT-TE PDF Datasheet
  • LH28F008SCHT-TE Stock

  • LH28F008SCHT-TE Pinout
  • Datasheet LH28F008SCHT-TE
  • LH28F008SCHT-TE Supplier

  • Sharp Microelectronics Distributor
  • LH28F008SCHT-TE Price
  • LH28F008SCHT-TE Distributor

LH28F008SCHT-TE Specifiche

ProduttoreSharp Microelectronics
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria8Mb (1M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina85ns
Tempo di accesso85ns
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia40-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore40-TSOP

I prodotti a cui potresti essere interessato

CY7C1355C-133BGC

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

NoBL™

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

119-BGA

Pacchetto dispositivo fornitore

119-PBGA (14x22)

GD25D10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Dual I/O

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50µs, 4ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-XFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-USON (2x3)

AT29LV020-12JI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH

Dimensione della memoria

2Mb (256K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ms

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-LCC (J-Lead)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-PLCC (13.97x11.43)

MT47H32M16CC-3:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR2

Dimensione della memoria

512Mb (32M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

450ps

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

84-TFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

84-FBGA (12x12.5)

MT48LC2M32B2P-6A AAT:J

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

64Mb (2M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

5.4ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

86-TSOP II

Venduto di recente

BAV70

BAV70

Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

TAJD107K020RNJ

TAJD107K020RNJ

CAP TANT 100UF 10% 20V 2917

UES1302

UES1302

Microsemi

DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

MBR4045PT

MBR4045PT

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO3P

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

2920L150DR

2920L150DR

Littelfuse

PTC RESET FUSE 33V 1.5A 2920

LTC4303IMS8#TRPBF

LTC4303IMS8#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC ACCELERATOR I2C HOTSWAP 8MSOP

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

CXA-0359

CXA-0359

TDK

INVERTER DC/DC

AD8032ARMZ

AD8032ARMZ

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8MSOP

TCMT4100

TCMT4100

Vishay Semiconductor Opto Division

OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SOP