LE25S81MCS00TWG
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| Numero parte | LE25S81MCS00TWG |
| PNEDA Part # | LE25S81MCS00TWG |
| Descrizione | IC FLASH MEM 8MBIT SERIAL 8SOIC |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.562 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 22 - giu 27 (Scegli Spedizione rapida) |
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LE25S81MCS00TWG Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | LE25S81MCS00TWG |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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LE25S81MCS00TWG Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | * |
| Tipo di memoria | - |
| Formato memoria | - |
| Tecnologia | - |
| Dimensione della memoria | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Tensione - Alimentazione | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria 12Gb (384M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 168-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 168-FBGA (12x12) |
