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KSD261GBU

KSD261GBU

Solo per riferimento

Numero parte KSD261GBU
PNEDA Part # KSD261GBU
Descrizione TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.082
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KSD261GBU Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSD261GBU
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
KSD261GBU, KSD261GBU Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 293,27 KB)
PDFKSD261YTA Datasheet Copertura
KSD261YTA Datasheet Pagina 2 KSD261YTA Datasheet Pagina 3 KSD261YTA Datasheet Pagina 4 KSD261YTA Datasheet Pagina 5 KSD261YTA Datasheet Pagina 6 KSD261YTA Datasheet Pagina 7

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KSD261GBU Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 1V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Produttore

STMicroelectronics

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Tipo di transistor

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

17A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

200W

Frequenza - Transizione

25MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

BCX55E6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

TSC5303DCHC5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Potenza - Max

30W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-251 (IPAK)

BD543B-S

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Produttore

Bourns Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1.6A, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 5A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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