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KSD261CYTA

KSD261CYTA

Solo per riferimento

Numero parte KSD261CYTA
PNEDA Part # KSD261CYTA
Descrizione TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 8.766
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KSD261CYTA Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSD261CYTA
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
KSD261CYTA, KSD261CYTA Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 293,27 KB)
PDFKSD261YTA Datasheet Copertura
KSD261YTA Datasheet Pagina 2 KSD261YTA Datasheet Pagina 3 KSD261YTA Datasheet Pagina 4 KSD261YTA Datasheet Pagina 5 KSD261YTA Datasheet Pagina 6 KSD261YTA Datasheet Pagina 7

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KSD261CYTA Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce120 @ 100mA, 1V
Potenza - Max500mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-92-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 150mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 1V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

PW-MOLD

MMBT5551-TP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

160V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

JAN2N5154

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/544

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

2N5087

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

40MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

TIP41

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Corrente - Taglio collettore (Max)

700µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

3MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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