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KBP306G C2G

KBP306G C2G

Solo per riferimento

Numero parte KBP306G C2G
PNEDA Part # KBP306G-C2G
Descrizione BRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A KBP
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.344
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KBP306G C2G Risorse

Brand Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKBP306G C2G
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori a ponte
Datasheet
KBP306G C2G, KBP306G C2G Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 195,93 KB)
PDFKBP307G C2G Datasheet Copertura
KBP307G C2G Datasheet Pagina 2 KBP307G C2G Datasheet Pagina 3 KBP307G C2G Datasheet Pagina 4

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KBP306G C2G Specifiche

ProduttoreTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
Tipo di diodoSingle Phase
TecnologiaStandard
Tensione - Picco inverso (Max)800V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.1V @ 3A
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 800V
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia4-SIP, KBP
Pacchetto dispositivo fornitoreKBP

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

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Single Phase

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400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

2µA @ 400V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 1000V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

DFM

TS4K80 D3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

4A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 4A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 800V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBL

Pacchetto dispositivo fornitore

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GeneSiC Semiconductor

Serie

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Tipo di diodo

Single Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 600V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

4-SIP, GBU

Pacchetto dispositivo fornitore

GBU

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo di diodo

Three Phase

Tecnologia

Standard

Tensione - Picco inverso (Max)

1.6kV

Corrente - Media Rettificata (Io)

18A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 55A

Corrente - Perdita inversa @ Vr

300µA @ 1600V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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