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JS28F00AP33BFA

JS28F00AP33BFA

Solo per riferimento

Numero parte JS28F00AP33BFA
PNEDA Part # JS28F00AP33BFA
Descrizione IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
Produttore Micron Technology Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.778
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JS28F00AP33BFA Risorse

Brand Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJS28F00AP33BFA
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
JS28F00AP33BFA, JS28F00AP33BFA Datasheet (Totale pagine: 92, Dimensioni: 1.015,36 KB)
PDFPC28F256P33B2F TR Datasheet Copertura
PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 2 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 3 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 4 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 5 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 6 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 7 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 8 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 9 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 10 PC28F256P33B2F TR Datasheet Pagina 11

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JS28F00AP33BFA Specifiche

ProduttoreMicron Technology Inc.
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NOR
Dimensione della memoria1Gb (64M x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock40MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina105ns
Tempo di accesso105ns
Tensione - Alimentazione2.3V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore56-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Gb (64G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

152-TBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

152-TBGA (14x18)

MT53D384M64D4FL-046 XT:E TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY14B256L-SP45XIT

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-SSOP

AT21CS01-SSHM12-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

1Kb (128 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C, Single Wire

Frequenza di clock

125kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

16Gb (512M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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