Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

JANTXV2N6760

JANTXV2N6760

Solo per riferimento

Numero parte JANTXV2N6760
PNEDA Part # JANTXV2N6760
Descrizione MOSFET N-CH
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.950
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTXV2N6760 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTXV2N6760
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • JANTXV2N6760 Datasheet
  • where to find JANTXV2N6760
  • Microsemi

  • Microsemi JANTXV2N6760
  • JANTXV2N6760 PDF Datasheet
  • JANTXV2N6760 Stock

  • JANTXV2N6760 Pinout
  • Datasheet JANTXV2N6760
  • JANTXV2N6760 Supplier

  • Microsemi Distributor
  • JANTXV2N6760 Price
  • JANTXV2N6760 Distributor

JANTXV2N6760 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/542
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.22Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)4W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-204AA (TO-3)
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

DMPH4029LFGQ-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220SM

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NDS9405

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1425pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SQD50N04-5M6_GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

71W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252AA

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPB110P06LMATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 5.55mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

281nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

8500pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO263-3-2

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Venduto di recente

TL072ID

TL072ID

STMicroelectronics

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SO

NC7SB3157P6X

NC7SB3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC70-6

HSMG-C191

HSMG-C191

Broadcom

LED GREEN DIFFUSED CHIP SMD

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

LFXP2-17E-6FTN256I

LFXP2-17E-6FTN256I

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 201 I/O 256FTBGA

CM453232-1R5KL

CM453232-1R5KL

Bourns

FIXED IND 1.5UH 410MA 600 MOHM

APT1608F3C

APT1608F3C

Kingbright

EMITTER IR 940NM 50MA 603

MAX8216ESD+

MAX8216ESD+

Maxim Integrated

IC MONITOR VOLT MPU 14-SOIC

SMCJ36A-E3/57T

SMCJ36A-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 36V 58.1V DO214AB

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

RJR26FW102R

RJR26FW102R

Bourns

TRIMMER 1K OHM 0.25W PC PIN TOP

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD