JANTXV1N6661US
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| Numero parte | JANTXV1N6661US |
| PNEDA Part # | JANTXV1N6661US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 225V 500MA D5A |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.748 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N6661US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6661US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6661US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/587 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 225V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 500mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 400mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 225V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 9A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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Produttore Micro Commercial Co Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 2.5A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia R-3, Axial Pacchetto dispositivo fornitore R-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 40ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore DO-214AB (SMC) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
