JANTXV1N6625U
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Numero parte | JANTXV1N6625U |
PNEDA Part # | JANTXV1N6625U |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.010 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | nov 13 - nov 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N6625U Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6625U |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6625U Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Microsemi Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/554 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 54A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 510mV @ 10A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 45V Capacità @ Vr, F 3000pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-203AB, DO-5, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-203AB (DO-5) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Sanken Produttore Sanken Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 700mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2V @ 700mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Diodes Incorporated Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Taiwan Semiconductor Corporation Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Taiwan Semiconductor Corporation Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-219AB Pacchetto dispositivo fornitore Sub SMA Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |