JANTXV1N6073
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| Numero parte | JANTXV1N6073 |
| PNEDA Part # | JANTXV1N6073 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.412 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N6073 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6073 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6073 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/503 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 850mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.04V @ 9.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | A, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | A-PAK |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 155°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/241 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 125V Corrente - Media Rettificata (Io) 150mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 920mV @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 3µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 2nA @ 125V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AA Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
