JANTX2N7228U
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| Numero parte | JANTX2N7228U | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JANTX2N7228U | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 5.601 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JANTX2N7228U Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | JANTX2N7228U |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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JANTX2N7228U Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/592 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 515mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-267AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-267AB |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 9.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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