JANTX2N4857
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| Numero parte | JANTX2N4857 |
| PNEDA Part # | JANTX2N4857 |
| Descrizione | JFET N-CH 40V 360MW TO-18 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.562 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX2N4857 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX2N4857 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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JANTX2N4857 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 40V |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 40V |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 100mA @ 15V |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | 6V @ 500pA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V (VGS) |
| Resistenza - RDS (On) | 40 Ohms |
| Potenza - Max | 360mW |
| Temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 5V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 750mV @ 1A Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 300mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/385 Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 40V Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 175mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 4V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V Resistenza - RDS (On) 25 Ohms Potenza - Max 360mW Temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-18 (TO-206AA) |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET P-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 6mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 1nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 350mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V Corrente assorbita (Id) - Max 1mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 100mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 2V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 100mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 3-SMD, Flat Leads Pacchetto dispositivo fornitore VTFP |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 60mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 600mV @ 10nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 625mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
