JANTX1N6622US
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| Numero parte | JANTX1N6622US | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JANTX1N6622US | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 660V 2A D5A | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 1.975 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * | ||||||||||||||||||
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JANTX1N6622US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N6622US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N6622US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 660V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 2A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 660V |
| Capacità @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 660V Corrente - Media Rettificata (Io) 1.2A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 660V Capacità @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 100mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) 60ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V Capacità @ Vr, F 3pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SC-59 Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 975mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 150V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 2000V Corrente - Media Rettificata (Io) 690A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.7V @ 3000A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 9µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 25mA @ 2000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia DO-200AB, B-PUK Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 6A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 25µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Button, Axial Pacchetto dispositivo fornitore Microde Button Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
