JANTX1N6510
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| Numero parte | JANTX1N6510 |
| PNEDA Part # | JANTX1N6510 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 75V 300MA DO213 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.544 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTX1N6510 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N6510 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N6510 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | MILITARY, MIL-PRF-19500/478 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 75V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 300mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 300mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-CFlatPack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-Flatpack |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
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Produttore Sanken Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 400ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia Axial Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
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