JANTX1N5618US
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| Numero parte | JANTX1N5618US | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JANTX1N5618US | ||||||||||||||||||
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 2.651 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JANTX1N5618US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTX1N5618US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTX1N5618US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/427 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 400V Capacità @ Vr, F 17pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 3A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 15µA @ 600V Capacità @ Vr, F 60pF @ 1V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 30V Corrente - Media Rettificata (Io) 200mA Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 200mA Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 30µA @ 10V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 1005 (2512 Metric) Pacchetto dispositivo fornitore 1005/SOD-323F Temperatura di esercizio - Giunzione 125°C (Max) |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 590mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-220AA Pacchetto dispositivo fornitore DO-220AA (SMP) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore STMicroelectronics Serie ECOPACK®2 Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 120µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 1650pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-247-2 (Straight Leads) Pacchetto dispositivo fornitore DO-247 Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 175°C |
