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JAN2N6353

JAN2N6353

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N6353
PNEDA Part # JAN2N6353
Descrizione TRANS NPN DARL 150V 5A TO-33
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $3.733,4907
50 ---------- $3.558,4833
100 ---------- $3.383,4759
200 ---------- $3.208,4686
400 ---------- $3.062,6291
500 ---------- $2.916,7896
Disponibile 504
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N6353 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N6353
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JAN2N6353 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/472
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)150V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 10mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 5A, 5V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-213AA, TO-66-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-66 (TO-213AA)

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

300MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

TSA894CT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

500V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

BC850CW,135

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70

TTC009,F(M

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V

Potenza - Max

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