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JAN2N1482

JAN2N1482

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N1482
PNEDA Part # JAN2N1482
Descrizione TRANS NPN 55V 1.5A TO-5
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $2.641,3176
50 ---------- $2.517,5059
100 ---------- $2.393,6941
200 ---------- $2.269,8823
400 ---------- $2.166,7059
500 ---------- $2.063,5294
Disponibile 6.053
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N1482 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N1482
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JAN2N1482 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/207
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)1.5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)55V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic750mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Taglio collettore (Max)5µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce35 @ 200mA, 4V
Potenza - Max1W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-5

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Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

200µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 7.5A, 3V

Potenza - Max

70W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

2SD2114KT146W

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

820 @ 10mA, 3V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

350MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 20mA, 400mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

Potenza - Max

200mW

Frequenza - Transizione

200MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SMT3

2SA1943N(S1,E,S)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

3V @ 800mA, 8A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1A, 5V

Potenza - Max

150W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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