JAN1N6630US
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| Numero parte | JAN1N6630US |
| PNEDA Part # | JAN1N6630US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.016 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N6630US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N6630US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N6630US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 900V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 900V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, E |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Powerex Inc. Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 600V Capacità @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AL, DO-41, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AL (DO-41) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie SBR® Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 12A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 500mV @ 12A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 45V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5SP Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5SP™ Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 3A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 2.5µs Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC (DO-214AB) Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
