JAN1N5618US
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Numero parte | JAN1N5618US |
PNEDA Part # | JAN1N5618US |
Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 1A D5A |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.310 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N5618US Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | JAN1N5618US |
Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N5618US Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/429 |
Tipo di diodo | Standard |
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Media Rettificata (Io) | 1A |
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, A |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-5A |
Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
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